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產品詳情
簡單介紹:
雙管滑動式1200℃四通道混氣CVD系統- OTF -1200X-4- C4LVS
OTF-1200X-4-C4LVS 雙管爐是 一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。通過滑動爐子實現快速加熱和冷卻。
詳情介紹:
OTF-1200X-4-C4LVS 雙管爐是 一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。通過滑動爐子實現快速加熱和冷卻。請點擊下圖觀看爐子的工作原理。
特點:
雙管滑動式1200℃四通道混氣CVD系統- OTF -1200X-4- C4LVS
雙石英管:外管直徑100mm ,懸掛的內管直徑 80. 金屬箔纏繞在內管的外表面上發生CVD反應。2.雙管的真空密封法蘭:允許反應氣體通過兩管之間(10mm間隙)發生反應,冷卻氣體直接通入內 管
雙石英管:外管直徑100mm ,懸掛的內管直徑 80. 金屬箔纏繞在內管的外表面上發生CVD反應。2.雙管的真空密封法蘭:允許反應氣體通過兩管之間(10mm間隙)發生反應,冷卻氣體直接通入內 管
3.四通道質量流量計控制4路氣體。
4.配有KF25快接和波紋管的高速機械泵。
5.爐子底部裝有滑軌:爐子可以從一端滑向另一端,從而實現快速升溫和降溫.
技術參數
爐體
結構 |
· 高純 Al2O3保溫材料,保證了爐膛有極好的溫度均勻性.
· 爐子底部的冷卻風扇保證了熱量正常對外釋放.
· 密封法蘭系統全不銹鋼制作。
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電源
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電源:208-240VAC, 50/60Hz, 單相, 2.5KW ( 20A 保險絲)
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加熱
溫度 |
*高溫度: 1100°C
連續溫度: 1000°C
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加熱區
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加熱區長度: 440mm
恒溫區長度: 120mm (±1°C) @400~1100°C 選擇:
雙溫區爐可獲得t 240mm 的恒溫區
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加熱
和 冷卻 速度 |
*快的加熱和冷卻速度跟工作溫度有關, 請點擊下圖可以看出*快的加熱和冷卻速度隨溫度的變化而變化。
( 在使用爐子之前,要校準工作溫度和加熱、冷卻速度 )
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![]() |
![]() |
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加熱
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冷卻 |
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石英管
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外管: OD: 4"x ID: 3.8"X55" Length (OD100 x ID 96 x 1400, mm
內管: OD:3.15: x ID x 2.95" x 55" Length (OD80 x ID 75 x 1500 mm )
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真空
法蘭 |
· 一對 SS304不銹鋼法蘭,通過用兩個高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空。
· 爐子底部裝有一對滑軌
· 爐子可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。
· 為了得到較快的加熱速度,可以先將爐子預熱,然后滑到放置樣品的位置。
· 為了獲得較快的冷卻的速度,把爐子滑向另一端,同時將冷卻氣體通入樣品所在的位置。
極限真空度: 10^-2 torr (機械泵)
10^-5 torr (分子泵)
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溫控儀
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· 溫控儀:帶超溫保護和PID調節的 30 段程序控制。
· 控溫精度: +/-1°C
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混氣
系統 |
4路精密質子流量計:數字顯示、氣體流量自動控制.
· MFC 1范圍: 0~100 sccm
· MFC 2范圍: 0~200 sccm
· MFC 3范圍: 0~200 sccm
· MFC 4范圍: 0~500 sccm
氣路: 4 路
流量精度: 0.2%
進氣和出氣接口: 1/4" 卡套
一個混氣罐.
每路氣路都有一個獨立的不銹鋼針閥控制。
通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量. 請看下圖
MFC 面板(點擊放大)
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真空泵
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· 安裝在移動架底部的機械泵,真空度達 10-3 Torr.
· 真空泵與手動擋板閥之間用KF25 快接與不銹鋼波紋管連接 .
· 數字真空表安裝在一端的法蘭上.
·
選擇: 可以配分子泵,真空度達 10-5 Torr
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作為基片用的25um厚的
銅箔 (選配) |
生長石墨烯的銅箔 (150m length x 150mm width x 25um thickness)
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尺寸(mm)
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爐體: 550 x 380 x 520
移動架: 600x600x597
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凈重
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300 lb
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保修期
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一年質保期 (耗材:如爐管,“O”型圈,和加熱元件等不在保修范圍內)
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認證
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